芯片惊现短路危机！该如何应对？ -j9九游会登录入口

芯片惊现短路危机！该如何应对？

qfn芯片封装技术以其独特的技术特点和广泛的应用领域，在现代电子产品制造中发挥着越来越重要的作用。

某qfn芯片在经历smt封装后，于上电测试阶段暴露出失效问题，具体表现为电源输出的b5引脚发生对地短路，而芯片外观及结构均保持完好无损。为深入探究这一失效现象的根源，我们特别选取了4片存在该问题的不良phy ic与4片同批次且表现正常的良品phy ic进行对比分析。

测试分析

1 iv测试

测试结果是ng1~ng4样品的b5、b23、b25、a30引脚与gnd都是短路的。

2 x-ray测试

用x-ray测试系统测试ng1~ng4、ok1样品，观察ng1~ng4、ok1样品芯片。x-ray测试结果未发现ng芯片有明显异常。

3 csam测试

通过测试ng1~ng4、ok1，来确定失效样品的内部状态。测试结果是ng1、ng2、ng4、ok1无分层现象，ng3有分层现象，如图43所示。

4 开封测试

ng1的晶元a30引脚对应绑定线有熔断现象，ng1~ng4晶元a30对应的位置都有烧毁痕迹，晶元其他位置无明显异常。ng1~ng4晶元a30引脚烧毁属于过流烧毁。

5 sem测试

ng1~ng4的损伤位置一致，都在a30附近，损伤类型都属于烧毁损伤，说明a30引脚有较大电流流过。

6 模拟测试

芯片的a30引脚正常电压为3.3v，模拟测试用直流12v进行过压。对ok4的a30与gnd之间接12v直流电，限流200ma，通电不超过1s，反复三次后用iv曲线测试仪测试b23、b25、a30三个引脚的iv曲线，发现对gnd都是短路的。然后对ok4进行开封测试，检查损伤位置与原失效样品现象一致。

结论

结论：

导致phy ic失效的主要原因是：a30引脚在电路中出现过压而引起的过流烧毁a30引脚对应晶元上的键合位置，导致b5、b23、b25对地短路。

总结：

1.做好smt过程中的esd防护工作。

2.板级排查过压来源，避免测试过程中异常电压的引入。

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